电路如图所示,设MOS管的参数为UGS(th)=1V,IDO =500uA。电路参数为VDD=5V,-VSS=-5V,Rd=10kΩ,R=0.5kΩ,IDQ=0.5mA。若流过Rg1、Rg2的电流是IDQ的1/10,试确定Rg1和Rg2的值。
已知图(a)所示电路中场效应管的转移特性如图(b)所示。求解电路的Q点和Au。
两个场效应管的转移特性曲线分别如图 (a)、(b)所示,分别确定这两个场效应管的类型,并求其主要参数(开启电压或夹断电压,低频跨导)。测试时电流iD的参考方向为从漏极D到源极S。