单项选择题

在如下图所示的晶闸管双晶体管模型中，（）是体现晶闸管半控性特征。

A.I_G增大，I_C2增大，I_C1增大，I_K达到饱和导通电流。I_G移除，I_K不变
B.I_G增大，I_C2增大，I_C1减小，I_K达到饱和导通电流。I_G移除，I_K不变
C.I_G增大，I_C2增大，I_C1增大，I_K达到饱和导通电流。I_G移除，I_C2减小，I_C1减小，I_K减小至0
D.I_G增大，I_C2增大，I_C1减小，I_K达到饱和导通电流。I_G移除，I_C2减小，I_C1减小，I_K减小至0

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单项选择题

宽禁带半导体材料用于制作新型电力电子开关，下列描述（）不属于它的特点。

A.耐受高电压的能力
B.较高的通态电阻
C.更好的导热性能
D.热稳定性好，抗辐射的能力强

单项选择题

‎下面的描述（）不属于电力MOSFET的特性。

A.驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快
B.耐压高，电流容量大
C.反型层形成沟道导电
D.通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利