单项选择题

关于半导体中的载流子，以下说法不正确的有（）

A.电子会顺着浓度差方向扩散
B.空穴会顺着浓度差方向扩散
C.电子会顺着电场方向漂移
D.空穴会顺着电场方向漂移

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单项选择题

已知硅半导体中每立方厘米掺有10¹⁷个硼原子，则：（）

A.这是N-Si
B.电子浓度为10¹⁷cm^-3
C.该半导体中空穴为少数载流子
D.该半导体的费米能级在禁带中心下方

单项选择题

关于不存在杂质补偿的N型半导体中的载流子，以下说法正确的是（）

A.N型半导体的电子浓度近似等于空穴浓度
B.N型半导体中的电子浓度近似等于施主杂质浓度
C.N型半导体中的电子浓度近似等于受主浓度
D.N型半导体中的空穴浓度近似等于施主浓度