一无限大均匀带电薄平板，电荷面密度为σ，在平板中部有一半径为r的小圆孔.求圆孔中心轴线上与平板相距为x的一点P的电场强度.

设在半径为R 的球体内，其电荷为球对称分布，电荷体密度为

k为一常量.试分别用高斯定理和电场叠加原理求电场强度E与r的函数关系.

边长为a 的立方体如图所示，其表面分别平行于O_xy、O_yz 和O_zx 平面，立方体的一个顶点为坐标原点.现将立方体置于电场强度(k，E₁ ，E₂ 为常数)的非均匀电场中，求电场对立方体各表面及整个立方体表面的电场强度通量.

两条无限长平行直导线相距为r0，均匀带有等量异号电荷，电荷线密度为λ.
（1）求两导线构成的平面上任一点的电场强度（设该点到其中一线的垂直距离为x）；
（2）求每一根导线上单位长度导线受到另一根导线上电荷作用的电场力.

一半径为R 的半球壳，均匀地带有电荷，电荷面密度为σ，求球心处电场强度的大小.

在氯化铯晶体中，一价氯离子Cl^－与其最邻近的八个一价铯离子Cs⁺构成如图所示的立方晶格结构.
（1）求氯离子所受的库仑力；
（2）假设图中箭头所指处缺少一个铯离子（称作晶格缺陷），求此时氯离子所受的库仑力.

1964年，盖尔曼等人提出基本粒子是由更基本的夸克构成，中子就是由一个带 的上夸克和两个带 的下夸克构成.若将夸克作为经典粒子处理(夸克线度约为10^－20 m)，中子内的两个下夸克之间相距2.60×10^－15 m .求它们之间的相互作用力.