问答题

【简答题】解释APCVD,使用APCVD SiO2的主要问题是什么,是用硅烷作为反应源吗?

答案: 常压化学气相淀积;传统上这些膜通常作为层间介质(ILD),保护覆盖物或者表面平坦化;不是使用硅烷作为反应源。
题目列表

你可能感兴趣的试题

问答题

【简答题】列出沉积的5种主要技术。

答案:

化学气相淀积(cvd)
电镀
物理气相淀积(pvd或溅射)
蒸发
旋涂方法

问答题

【简答题】列举并描述薄膜生长的三个阶段。

答案: 第一步是晶核形成:成束的稳定小晶核形成,这一步发生在起初少量原子或分子反应物结合起来,形成附着在硅片表面的分离的小膜层的...
微信扫码免费搜题