填空题
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扩散的目的是为了实现对半导体掺杂,杂质扩散的深度与()有关,服从()。杂质扩散通常分为等表面浓度扩散,也(),和固定杂质总量扩散,也称()。预淀积的分布是()函数,再分布扩散的杂质呈()函数分布。
参考答案:
杂质浓度梯度、扩散温度、扩散时间;费克定律;预淀积;再分布扩散;余误差;高斯
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填空题
半导体的中,()称为费米能级;对本征半导体,费米能级位于(),表示()。费米能级靠近导带,表示(),是()型半导体;费米能级靠近价带,表示(),是()型半导体。
参考答案:
被电子占有的几率为1/2的能级;禁带中央;电子和空穴数相等;电子数多于空穴数;N;空穴数多于电子数;P
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问答题
画出N型半导体的能带图和P型半导体的能带图。
参考答案:
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填空题
()和()是半导体的主要载流子,N型半导体中()浓度高于()浓度,而 P型半导体中()浓度高于 电子浓度,()半导体中的两种载流子浓度相等。
参考答案:
电子;空穴;电子;空穴;空穴;本证
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填空题
半导体晶体的晶胞具有()对称性, Si、Ge 、GaAs 晶体为()结构。用()h,k,l 表示晶胞晶面的方向。
参考答案:
立方;金刚石;密勒指数
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填空题
半导体材料的缺陷主要有()
参考答案:
点缺陷、位错、层错、孪晶
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填空题
集成电路用单晶硅的主要制备方法是()
参考答案:
提拉法和区熔法
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填空题
摩尔定律的主要内容是()。
参考答案:
晶体管特征尺寸每三年减小到约70%,30年内有效,也可表示为集成电路的特征尺寸每三年缩小30%;集成度每三年翻二翻,集成...
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填空题
()和()是半导体器件的最常用掺杂方法。()、()是Si常用的施主杂质;()是Si常用的受主杂质;()是GaAs常用的P型掺杂剂;()是GaAs常用的N型掺杂剂。
参考答案:
热扩散;离子注入;P;As;B;Zn;Si
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问答题
画出P型(100)、(111)和N型(100)、(111)单晶抛光硅片的外形判别示意图。
参考答案:
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填空题
半导体集成电路主要的衬底材料有单元晶体材料()、()和化合物晶体材料()、();硅COMS集成电路衬底单晶的晶向常选();TTL集成电路衬底材料的晶向常选();常用的硅集成电路介电薄膜是()、();常用的IC互连线金属材料是()、()。
参考答案:
Si;Ge;GaAs;InP;(100);(111);SiO
2
;Si
3
N
4
;Al;Cu
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