问答题X 纠错
MOS器件噪声的来源:
A.热噪声,由沟道内载流子无规则运动引起,可通过增加MOS的栅宽和偏置电流来减小。
B.闪烁噪声,沟道处二氧化硅与硅界面上电子的充放电引起,同样通过增加MOS的栅宽来减小。
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问答题
图a中M1和M2为某CMOS工艺中的两个NMOS管,M1的W/L=12μm/6μm,M2的W/L=4μm/2μm,其它物理参数及偏置均相同。图b中给出了M1的漏极电流Id1随Vgs的变化曲线,请画出Id2的大致变化,并说明Id1和Id2有什么不同,并解释不同的主要原因。
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