单项选择题

不能发生混浊的晶状体的部位是（）。

A.前皮质
B.后皮质
C.核
D.前后囊膜

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单项选择题

由多种金属元素合成，物质结构为B型的钛架为（）。

A.纯钛架
B.Beta钛架
C.记忆钛
D.半钛架

单项选择题

晶状体进行调节的主要部位是（）。

A.核
B.前皮质
C.前囊膜
D.后皮质