闩锁效应（可控硅效应），是CMOS电路遇到的（）问题。在CMOS电路正常工作...

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闩锁效应（可控硅效应），是CMOS电路遇到的（）问题。在CMOS电路正常工作时，由于（）的突然被激发，器件电流突然（），甚至很快因Al（），使电路失效。

参考答案：破坏性；寄生晶体管；大幅上升；连线熔断

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填空题

开启电压（阈值电压）的高低与栅下半导体中的（），栅氧化层的（）、（）、（）、（）等有关。载流子浓度越高，开启电压的绝对值（）；栅氧化层厚度越厚，开启电压的绝对值（）。

参考答案：载流子浓度；厚度；固定电荷密度；可动电荷密度；界面态密度；越高；越高

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填空题

MOS场效应晶体管的开启电压指的是：（）。所以，NMOS管的开启电压为（），PMOS管的开启电压为（）。

参考答案：MOS管栅下半导体表面开始强反型时的栅极电压；正；负

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填空题

光刻工艺的分辨率决定于：（）和曝光、显影、刻蚀条件的正确控制。正胶的分辨率（）于负胶的分辨率；光刻胶越薄，分辨率越（）。

参考答案：光刻机的分辨率、光刻胶的种类、光刻胶的厚度、光刻胶的对比度；高；高

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填空题

前烘的目的是（）使胶膜中的溶剂只有初始浓度的（）。从而，使胶的（）性能稳定。对正胶，前烘过度会使非曝光区的胶（）；前烘不足，会使胶的感光度（），对比度（），线条边缘不陡直。所以，必须严格控制前烘的（）和（）。

参考答案：去除胶膜中的大部分溶剂；5%；曝光；部分溶解；提高；降低；时间；温度

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填空题

光刻胶的三种主要成分是：（）。正胶的感光剂是（），曝光使其（），正胶的曝光区在显影后（）；曝光使负胶的感光剂（），使曝光区在显影后（）。

参考答案：感光剂、基体材料和溶剂；重氮醌；长链分子断裂；去除；交联；保留

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填空题

光学光刻机的主要曝光光线的是波长为（）的g线和（）的i线，适合1微米以上特征尺寸的光刻。常用（）的KrF和（）的ArF准分子激光做1微米以下特征尺寸的光刻光源。

参考答案：436nm；365nm；248nm；193nm

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填空题

光学光刻机主要有（）等几种。非光学光刻机主要有（）。

参考答案：接触式、接近式、投影式和分步重复光刻机；电子束光刻机和X射线光刻机

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填空题

光刻工艺的主要工序有：（）组成。

参考答案：涂胶、前烘、对位、曝光、显影、坚膜、介质刻蚀、去胶

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填空题

快速热处理设备（RTP）的主要热交换机制是（），常用热源是（）。RTP的主要优点是（）。

参考答案：热辐射；钨-卤灯；时间短可减少杂质的再分布、灯光加热无污染

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填空题

CMOS工艺中，阱注入的计量为（）量级；源、漏注入的剂量为（）量级；开启调整的注入剂量为（）量级；场注入的的剂量为（）量级；离子束合成SOI材料SIMOX的O⁺注入计量为（）量级。

参考答案：10¹²/cm²；10¹⁵/cm²；10¹¹/cm²；10¹³/cm²；10¹⁸/cm²

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