A、GTR B、GTO C、VDMOS D、SITH
A、温度 B、湿度 C、光照度 D、粉尘
A、能承受较大的电流 B、减少每个晶闸管的di/dt C、减少开关损耗 D、使元器件在较低的结温下有较短的关断时间