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判断题

由于电力MOSFET靠多子导电，不存在少子储存效应，因此其开关过程非常迅速。

答案： 正确
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多项选择题

对IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的优缺点的比较正确的是（）

A.IGBT的开关速度低于电力MOSFET，电压，电流容量不及GTO
B.GTR的开关速度高，驱动电路复杂，存在二次击穿问题
C.GTO的电压、电流容量大，但其关断增益也很大
D.电力MOSFET的开关速度最快，但驱动电路比较复杂
单项选择题

下列不属于交流电力电子开关特点的是（）

A.响应速度快
B.无触点
C.损耗低
D.寿命长
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