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单项选择题

气相成底膜的工艺步骤是：
①硅片清洗
②硅片成底膜
③脱水烘焙
以下选项排列正确的是（）。

A.①③②
B.②①③
C.①②③
D.③①②

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软烘的温度是（）℃。

A.120~140
B.90~100
C.60~80
D.150~160
单项选择题

光刻工艺是按照下列（）流程顺序进行操作。

A.气相成底膜、涂胶、软烘、曝光、坚膜、显影、刻蚀、检查
B.气相成底膜、涂胶、软烘、曝光、显影、坚膜、检查、刻蚀
C.气相成底膜、软烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、刻蚀、检查
D.气相成底膜、涂胶、软烘、曝光、显影、坚膜、刻蚀、检查
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