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EF-EC≥0的半导体叫简并半导体,其施主浓度高于导带底等效态密度。
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化合物半导体的禁带宽度一般随平均原子系数的增加而变窄,如GaN>GaP。
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金属氧化物MO中氧原子过剩时形成n型半导体,金属原子过剩时形成p型半导体。
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