问答题X 纠错
如图所示,一根长圆柱型同轴电缆,内、外导体间充满磁介质,磁介质的相对磁导率为μr(μr<1),导体的磁化可以略去不计,电缆沿轴向有稳定电流I通过,内外导体上的电流的方向相反,求
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变电站将电压500kV的直流电,通过两条截面不计的平行输电线输向远方。已知两输电导线间单位长度的电容为3×10-11F/m,若导线间的静电力与安培力正好抵消。求
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载流子浓度是半导体材料的重要参数,工艺上通过控制三价或五价掺杂原子的浓度,来控制P型或n型半导体的载流子浓度。利用霍尔效应可以测量载流子的浓度和类型。如图所示一块半导体材料样品,均匀磁场垂直于样品表面,样品中通过的电流为I,现测得霍尔电压为UH。证明样品载流子浓度为:
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(1)电子束偏转方向;
(2)电子束在显像管内通过20cm到达屏面时光点的偏转间距。
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如图所示,一半径为R的无限长载流直导体圆柱,其中电流I沿轴向流过,并均匀分布在横截面上,现在导体上有一半径为R′的圆柱型空腔,其轴与直导体的轴平行,两轴相距为d,试用安培环路定理求空腔中心的磁感应强度。你能证明空腔中的磁场是均匀磁场吗?