单项选择题

通常掩膜氧化采用的工艺方法为（）

A.干氧
B.干氧-湿氧-干氧
C.掺氯氧化
D.低压氧化

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多项选择题

在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中，哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层（）

A.MBE
B.VPE、LPE
C.UHV/CVD
D.SEG、SPE

如果外延速率偏低，只要增大外延气体中硅源（如SiCl₄）浓度，硅的气相外延速率就会增加。

答案：错误