单项选择题

衬源短接的增强型NMOSFET，V_DS>0正常开启时，衬底表面电势最低点出现在（）。

A.漏区
B.沟道区靠近漏区一侧
C.沟道区靠近源区一侧
D.源区

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单项选择题

‍在MOS缩微中，下列参数（）最易按缩微因子成比例改变。

A.I_ON
B.阈值电压
C.漏结扩散势
D.I_OFF

单项选择题

‍在恒定电压缩微中，如果新器件几何尺寸缩小至原器件的1/k（k>1），则功耗密度为原器件的（）倍。

A.k³
B.1
C.k²
D.k