问答题

【简答题】试说明热氧化法的两种基本方法及每种方法的生长机理（或过程），并比较两种方法的主要异同点。

答案：干氧氧化：氧化开始时，是氧分子与硅片表面的硅原子进行化学反应，形成初始氧化层，其反应方程式为：Si+O₂

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答案：