A.温度升高,载流子迁移率升高,跨导升高,阀值电压升高 B.温度升高,载流子迁移率升高,跨导下降,阀值电压下降 C.温度升高,载流子迁移率下降,跨导下降,阀值电压升高 D.温度升高,载流子迁移率下降,跨导下降,阀值电压下降
A.SOP B.BCD C.BMOS D.CMOS E.BiMOS F.BCG
A.漏电流增大导致总功耗增加 B.栅极氧化膜厚度接近物理极限 C.电路规模增大导致动态功耗增加 D.配线延迟不能相应降低从而影响性能