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蒸发镀膜中电阻加热源可分为直接加热源和间接加热源，其中间接加热源是把待蒸发材料放入坩埚中，对坩埚进行间接加热。
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对
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蒸发镀膜中电阻加热源可分为直接加热源和间接加热源，其中直接加热源的加热体和待蒸发材料的载体为同一物体；而间接加热源是把待蒸发材料放入坩埚中进行间接加热。
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离子注入工艺中入射离子能量低于临界能量时核阻止本领占主导，高于临界能量时电子阻止本领占主导。
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判断题
有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。
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判断题
离子注入工艺中被掺杂的材料称为靶，靶材料可以是晶体，也可以是非晶体，非晶靶也称为无定形靶。
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判断题
热扩散掺杂的工艺可以一步实现。
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错
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判断题
替位式扩散就是替位杂质和邻近晶格位置上的原子互换。
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错
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杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种：间隙式扩散、替位式扩散。其中间隙式扩散比替位式扩散困难。
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错
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判断题
基区主扩散属于有限表面源扩散。
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对
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判断题
预淀积扩散是为了提供足够的杂质总量，而再分布扩散是为了达到需要的扩散深度并同时在硅的表面获得一定厚度的氧化层。
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对
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判断题
二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件是杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数。
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对
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