场效应管放大电路如图所示，其中R_g1=300Wk，R_g2=120Wk，R_g3=10WM，R_s=R_d=10kΩ，C_S的容量足够大，V_DD＝16V，设FET的饱和电流I_DSS=1mA，夹断电压U_p=U_GS（off）（off） = －2V，求静态工作点，然后用中频微变等效电路法求电路的电压放大倍数。若C_S开路再求电压放大倍数。

电路如图所示，已知R_d=10kΩ，R_s=R=0.5kΩ，R_g1=165 kΩ，R_g2=35kΩ，U_GS（th=1V，I_DO =1mA，电路静态工作点处U_GS=1.5V。试求共源极电路的小信号电压增益A_u=u_o/u_i和源电压增益A_us=u_o/u_s。

电路如图所示，设MOS管的参数为U_GS（th）=1V，I_DO =500uA。电路参数为V_DD=5V，－V_SS=－5V，R_d=10kΩ，R=0.5kΩ，I_DQ=0.5mA。若流过R_g1、R_g2的电流是I_DQ的1/10，试确定R_g1和R_g2的值。

已知图（a）所示电路中场效应管的转移特性如图（b）所示。求解电路的Q点和A_u。

两个场效应管的转移特性曲线分别如图 （a）、（b）所示，分别确定这两个场效应管的类型，并求其主要参数（开启电压或夹断电压，低频跨导）。测试时电流iD的参考方向为从漏极D到源极S。

设硅稳压管VD_z1和VD_z2的稳定电压分别为5V和10V，正向压降均为0.7V。求电路的输出电压U_O=（）。

设硅稳压管VD_z1和VD_z2的稳定电压分别为5V和10V，正向压降均为0.7V。求电路的输出电压U_O=（）。