单项选择题

DRAM2116结构图中增加了刷新计数器的目的是（）。

A.周期为每列存储单元刷新
B.周期为每行存储单元刷新
C.周期进行行译码
D.周期读/写数据

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单项选择题

单管DRAM位线上的分布电容电荷大，降低了存储高电平的电位，仅达到（），因此需要增加灵敏恢复/放大电路放大电压，达到高电平的值。

A.0.1V
B.0V
C.0.2V
D.1V

多项选择题

四管动态存储单元电路不需要灵敏恢复/放大电路的原因是（）。

A.输出高电平的电位足够高
B.输出低电平的电位足够高
C.电容可以存储电荷
D.用锁存器的输出存储电平