微电子学填空题每日一练(2020.01.28)

填空题
迁移率反映的是载流子（）在单位电场作用下的平均漂移速度。
答案：电子和空穴
填空题
半导体的中，（）称为费米能级；对本征半导体，费米能级位于（），表示（）。费米能级靠近导带，表示（），是（）型半导体；费米能级靠近价带，表示（），是（）型半导体。
答案：被电子占有的几率为1/2的能级；禁带中央；电子和空穴数相等；电子数多于空穴数；N；空穴数多于电子数；P
填空题
集成电路的特征尺寸是衡量集成电路加工工艺水平和（）的主要指标。
答案：设计水平
填空题
N型半导体中电子是多子，空穴是（）。
答案：少子
填空题
为了避免短沟道效应，可采用按比例缩小法则，当MOSFET的沟道长度缩短一半时，其沟道宽度应（），栅氧化层厚度应（），源、漏区结深应（），衬底掺杂浓度应（）。
答案：增大；减小；增大；增大