集成电路技术判断题每日一练(2020.01.02)

判断题
CD越小，源漏结的掺杂区越深。
答案：正确
判断题
对于大马士革工艺，重点是在于金属的刻蚀而不是介质的刻蚀。
答案：错误
判断题
预淀积扩散是为了提供足够的杂质总量，而再分布扩散是为了达到需要的扩散深度并同时在硅的表面获得一定厚度的氧化层。
答案：正确
判断题
大马士革工艺的重点在于介质的刻蚀而不是金属的刻蚀。
答案：正确
判断题
光刻是集成电路制造工艺发展的驱动力。
答案：正确