半导体物理问答题每日一练(2019.12.29)

问答题
某掺施主杂质的非简并Si样品，试求EF=（EC+ED）/2时施主的浓度。由于半导体是非简并半导体，所以有电中性条件
答案：
问答题
已知室温（300K）下硅的禁带宽度Eg≈1.12eV，价带顶空穴和导带底电子的有效质量之比m*p/m*n≈0.55，导带的有效状态密度NC≈2.8*1019/cm3，kT≈0.026eV。试计算：1）室温（300K）下，纯净单晶硅的本征费米能级Ei；2）室温（300K）下，掺磷浓度为1016/cm3的n型单晶硅的费米能级EF。
答案：
1）纯净单晶硅的本征费米能级E_i.
问答题
若锗中施主杂质电离能△ED=0.04eV，施主杂质浓度分别为1015cm-3及1018cm-3。计算①99%电离；②90%电离；③50%电离时温度各为多少？
答案：
问答题
请选出正确选项填入括号内在室温下，半导体Si中掺入浓度为1014cm-3的磷杂质后，半导体中多数载流子是（），多子浓度为（），费米能级的位置（）；一段时间后，再一次向半导体中掺入浓度为1.1×1015cm-3的硼杂质，半导体中多数载流子是（），多子浓度为（），费米能级的位置（）；如果，此时温度从室温升高至K550，则杂质半导体费米能级的位置（）。（已知：室温下，ni=1010cm-3；K550时，ni=1017cm-3）
答案：
C；D；G；B；E；H；I
问答题
简述光电导增益的计算公式。
答案：