半导体物理问答题每日一练(2019.12.15)

问答题
简述空间电荷区的宽度计算公式。
答案：
问答题
MOS结构怎么使半导体产生从堆积、耗尽到反型的变化？
答案：
问答题
磷化镓的禁带宽度Eg=2.26eV，相对介电常数εr=11.1，空穴的有效质量m*p=0.86m0，m0为电子的惯性质量，求①受主杂质电离能；②受主束缚的空穴的基态轨道半径。
答案：
问答题
双极集成电路工艺中的七次光刻和四次扩散分别指什么？
答案：七次光刻：N+隐埋层扩散孔光刻； P+隔离扩散孔光刻；P型基区扩散孔光刻；N+发射区扩散孔光刻；引线接触孔光刻...
问答题
简述什么是MIS结构，并简单介绍MIS器件的功能。
答案：MIS结构是指金属-绝缘层-半导体结构。
假若绝缘体层的厚度足够大，则基本上不导电，这时即为MIS电容器；