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题目列表

集成电路制造工艺员多项选择题每日一练(2019.12.11)

  • 多项选择题

    铜与铝相比较,其性质有()。

    A.铜的电阻率比铝小
    B.铝的熔点较高
    C.铝的抗电迁移能力较弱
    D.铜与硅的接触电阻较小
    E.铜可以在低温下淀积

  • 多项选择题

    在半导体工艺中,与氮化硅比较,二氧化硅更适合应用在()。

    A.晶圆顶层的保护层
    B.多层金属的介质层
    C.多晶硅与金属之间的绝缘层
    D.掺杂阻挡层
    E.晶圆片上器件之间的隔离

  • 多项选择题

    晶片表面上的粒子是通过()到达晶片的表面。

    A.粒子扩散
    B.从气体源通过强迫性的对流传送
    C.化学反应
    D.被表面吸附
    E.静电吸引

  • 多项选择题

    净化室里废气收集管系统分为两类,分别是()。

    A.一般排气系统
    B.特殊排气系统
    C.制程排气系统
    D.专用排气系统
    E.排气排水系统

  • 多项选择题

    超大规模集成电路需要光刻工艺具备的要求有()。

    A.高分辨率
    B.高灵敏度
    C.精密的套刻对准
    D.大尺寸
    E.低缺陷

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