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题目列表

半导体物理单项选择题每日一练(2019.12.09)

  • 单项选择题

    二极管的双向限幅电路如右图所示。设vi为幅值大于 直流电源VC1(=-VC2)值的正弦波,二极管为理想器件。则可画出vo的波形为()。

    A. a)
    B. b)
    C. c)
    D. d)

  • 单项选择题

    硅的晶格结构和能带结构分别是()

    A.金刚石型和直接禁带型
    B.闪锌矿型和直接禁带型
    C.金刚石型和间接禁带型
    D.闪锌矿型和间接禁带型

  • 单项选择题

    对于大注入下的直接辐射复合,非平衡载流子的寿命与()

    A.平衡载流子浓度成正比
    B.非平衡载流子浓度成正比
    C.平衡载流子浓度成反比
    D.非平衡载流子浓度成反比

  • 单项选择题

    某单级放大电路的通频带为fB1,由两个这样的单级放大器构成一个两级放大电路,其总的通频带fB为()

    A.A
    B.B
    C.C
    D.D

  • 单项选择题

    空间实验室中失重状态下生长的GaAs与地面生长的GaAs相比,载流子迁移率要高,这是因为()

    A.无杂质污染
    B.晶体生长更完整
    C.化学配比更合理
    D.宇宙射线的照射作用

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