半导体物理问答题每日一练(2019.08.21)

问答题
电路如图所示，晶体管的β＝50，UBE＝0.2V，饱和管压降UCES＝0.1V；稳压管的稳定电压UZ＝5V，正向导通电压UD＝0.5V。试问：当uI＝0V时uO＝？当uI＝－5V时uO＝？
答案：
问答题
MOS结构怎么使半导体产生从堆积、耗尽到反型的变化？
答案：
问答题
何谓迁移率？影响迁移率的主要因素有哪些？
答案：
迁移率是单位电场强度下载流子所获得的漂移速率。影响迁移率的主要因素有能带结构（载流子有效质量）、温度和各种散射机构。
问答题
在只有少数载流子别耗尽（例如，pnn0，而nn=nn0）的半导体区域。
答案：
问答题
画出外加正向和负向偏压时pn结能带图（需标识出费米能级的位置）。
答案：