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题目列表

集成电路制造工艺员多项选择题每日一练(2019.08.13)

  • 多项选择题

    哪种方法可以增加缺陷的积累率而降低临界注入量:()。

    A.低温注入
    B.常温注入
    C.高温注入
    D.分子注入
    E.双注入

  • 多项选择题

    溅射的方法非常多其中包括()。

    A.直流溅射
    B.交流溅射
    C.反应溅射
    D.二级溅射
    E.三级溅射
  • 多项选择题

    静电释放带来的问题有哪些()。

    A.金属电迁移
    B.金属尖刺现象
    C.芯片产生超过1A的峰值电流
    D.栅氧化层击穿
    E.吸引带电颗粒或极化并吸引中性颗粒到硅片表面

  • 多项选择题

    二氧化硅薄膜厚度的测量方法有()。

    A.比色法
    B.双光干涉法
    C.椭圆偏振光法
    D.腐蚀法
    E.电容-电压法

  • 多项选择题

    超大规模集成电路需要光刻工艺具备的要求有()。

    A.高分辨率
    B.高灵敏度
    C.精密的套刻对准
    D.大尺寸
    E.低缺陷

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