半导体芯片制造工半导体制造技术问答题每日一练(2019.07.31)

问答题
假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。
答案：（1）如果这次预淀积进行了总共t分钟，若预淀积温度不变，引入3Qcm^-2
问答题
离子在靶内运动时，损失能量可分核阻滞和电子阻滞，解释什么是核阻滞、电子阻滞？两种阻滞本领与注入离子能量具有何关系？
答案：①碰撞注入离子与靶内原子核之间的相互碰撞。因注入离子与靶原子的质量一般为同一数量级，每次碰撞之后，注入离子都可能发生大角...
问答题
集成电路制造中有哪几种常见的扩散工艺？各有什么优缺点？
答案：扩散工艺分类：按原始杂质源在室温下的相态分类，可分为固态源扩散，液态源扩散和气态源扩散。固态源扩散（1）.开管扩散...
问答题
应力分为压应力和张应力，下图的形状是由于哪种应力产生的？请在图上标出应力的方向。如果要让上面的结构材料变得平整，要怎么做？
答案：张应力（张的时候产生的应力）与压应力（压的时候产生的应力）
在张应力作用下，薄膜会相对衬底进行...
问答题
对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，质量传输系数hG=10cms-1，表面反应速率系数ks=1×107exp（-1.9eV/kT）cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择（1）冷壁，石墨支座型；（2）热壁，堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。
答案：反应室类型热壁：反应室腔壁与硅片及支撑件同时加热。一般为电阻丝加热，可精确控制反应腔温度和均匀性。适合对温度控制要求苛刻...