微电子学填空题每日一练(2019.04.25)

填空题
根据不同的击穿机理，PN结击穿主要分为（）和隧道击穿这两种电击穿。
答案：雪崩击穿
填空题
N沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。
答案：P；N；电子
填空题
由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。
答案：大；衬底；严重
填空题
PN结的正向电流由（）电流、（）电流和（）电流三部分所组成。
答案：空穴扩散；电子扩散；势垒区复合
填空题
集成电路封装的类型非常多样化。按管壳的材料可以分为金属封装、（）和塑料封装。
答案：陶瓷封装