大学试题

半导体物理问答题每日一练(2019.03.19)

来源：考试资料网

问答题

写出半导体的电中性方程，此方程在半导体中有何重要意义？

参考答案：

电子浓度等于空穴浓度。
意义：平衡状态下半导体体内是电中性的。

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问答题

什么是能量状态密度？

参考答案：

能带中能量E附近每单位能量间隔内的量子态数。

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问答题

已知Nc=1.05×1019cm-3，NV=3.9×1018cm-3，Eg=0.67eV，求温度为300K和500K时，含施主浓度ND=5×1015cm-3，受主浓度NA=2×109cm-3的锗中电子及空穴浓度为多少？

参考答案：

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问答题

晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加102V/m，107V/m的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。

参考答案：

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问答题制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成的。

设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV，300K时的EF位于导带下面0.026eV处，计算锑的浓度和导带中电子浓度。

参考答案：

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