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集成电路工艺原理填空题每日一练(2019.03.11)
来源:考试资料网
填空题
缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是()、()、高密度等离子体化学气相淀积和()。
参考答案:
等离子体增强化学气相淀积;低压化学气相淀积;常压化学气相淀积
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填空题
用来做芯片的高纯硅被称为(),英文简称(),有时也被称为()。
参考答案:
半导体级硅;GSG;电子级硅
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填空题
在半导体制造业中,最早的互连金属是(),在硅片制造业中最普通的互连金属是(),即将取代它的金属材料是()。
参考答案:
铝;铝;铜
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填空题
立式炉的工艺腔或炉管是对硅片加热的场所,它由垂直的()、()和()组成。
参考答案:
石英工艺腔;加热器;石英舟
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填空题
自持放电的形式有()、()、()、()。
参考答案:
辉光放电;弧光放电;电晕放电;火花放电
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