集成电路技术填空题每日一练(2019.03.01)

填空题
随着铜布线中大马士革工艺的引入，金属化工艺变成刻蚀（）以形成一个凹槽，然后淀积（）来覆盖其上的图形，再利用（）把铜平坦化至ILD的高度。
答案：介质；金属；CMP
填空题
刻蚀是用（）或（）有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是（）。
答案：化学方法；物理方法；在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形
填空题
对芯片互连的金属和金属合金来说，它所必备一些要求是（）、高黏附性、（）、（）、可靠性、抗腐蚀性、应力等。
答案：导电率；淀积；平坦化
填空题
列出热氧化物在硅片制造的4种用途（）、（）、场氧化层和（）。
答案：掺杂阻挡；表面钝化；金属层间介质
填空题
扩散是物质的一个基本性质，分为三种形态（）扩散、（）扩散和（）扩散。
答案：气相；液相；固相