集成电路技术综合练习问答题每日一练(2019.01.24)

问答题
光刻工艺分为哪些步骤？
答案：
1、底膜处理
2、涂胶
3、前烘
4、曝光
5、显影
6、坚膜
7、刻蚀去胶
问答题
为什么用阱可实现大阻值电阻？
答案：
阱是低参杂的，方块电阻较大
问答题
MOS管的主要噪声是什么？分别是如何产生的？如何减小？
答案：热噪声、闪烁噪声；
热噪声是由沟道内载流子的无规则热运动造成，闪烁噪声由沟道处SiO2与Si界面上电子的充放电...
问答题
常用掺杂方法是什么？
答案：
扩散和离子注入。
问答题
为什么MOS晶体管会存在饱和区和非饱和区之分（不考虑沟道调制效应）？
答案：晶体管开通后，其漏源电流随着漏源电压而变化。当漏源电压很小时，随着漏源电压的值的增大，沟道内电场强度增加，电流随之增大，...