多晶硅是由多个单晶单元随机堆积形成的,多晶硅没有单晶所特有的特征,如各向异性、短程有序等。
光刻和刻蚀
制造源、漏极与制造栅极采用两次掩膜步骤,不容易对齐
设计规则由生产厂家提供
P阱光刻,光刻有源区,光刻多晶硅,P+区光刻,N+区光刻,光刻接触孔,光刻铝线。