集成电路技术综合练习问答题每日一练(2019.01.23)

问答题
单晶硅与多晶硅的区别？
答案：
多晶硅是由多个单晶单元随机堆积形成的，多晶硅没有单晶所特有的特征，如各向异性、短程有序等。
问答题
图形的加工是通过什么工艺完成的？
答案：
光刻和刻蚀
问答题
铝栅MOS工艺的缺点是什么？
答案：
制造源、漏极与制造栅极采用两次掩膜步骤，不容易对齐
问答题
设计规则是由谁提供的？
答案：
设计规则由生产厂家提供
问答题
简述硅栅p阱CMOS的光刻步骤。
答案：
P阱光刻，光刻有源区，光刻多晶硅，P+区光刻，N+区光刻，光刻接触孔，光刻铝线。