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题目列表

集成电路制造工艺员(三级)单项选择题每日一练(2019.01.16)

  • 单项选择题

    在热扩散工艺中的预淀积步骤中,硼在950~1100℃的条件下,扩散时间大约()为宜。

    A.4~6h
    B.50min~2h
    C.10~40min
    D.5~10min

  • 单项选择题

    单晶硅刻蚀一般采用()做掩蔽层,以氟化氢为主要的刻蚀剂,氧气为侧壁钝化作用的媒介物。

    A.氮化硅
    B.二氧化硅
    C.光刻胶
    D.多晶硅

  • 单项选择题

    Torr是指()的单位。

    A.真空度
    B.磁场强度
    C.体积
    D.温度

  • 单项选择题

    在直流二极管辉光放电系统的玻璃管中,自由电子在碰撞氩原子之前可运动的平均距离又叫()。

    A.平均运动范围
    B.平均速度
    C.平均碰撞距离
    D.平均自由程

  • 单项选择题

    用真空蒸发与溅射法在硅片或二氧化硅膜上涂敷金属材料,是形成电极的()。

    A.重要步骤
    B.次要步骤
    C.首要步骤
    D.不一定

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