微电子学填空题每日一练(2018.12.13)

填空题
隧道击穿主要取决于空间电荷区中的（）。
答案：最大电场
填空题
在PN结开关管中，在外加电压从正向变为反向后的一段时间内，会出现一个较大的反向电流。引起这个电流的原因是存储在（）区中的（）电荷。这个电荷的消失途径有两条，即（）和（）。
答案：N；非平衡载流子；反向电流的抽取；少子自身的复合
填空题
MOSFET的跨导的定义是（），反映了（）对（）的控制能力。
答案：转移特性曲线的斜率；栅源电压；漏极电流
填空题
在正常使用条件下，晶体管的发射结加正向小电压，称为（）偏置，集电结加反向大电压，称为反向偏置。
答案：正向
填空题
能量最高的是价电子所填充的能带，称为（）。
答案：价带