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半导体芯片制造工半导体制造技术问答题每日一练(2018.12.05)
- 问答题
假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。
答案：（1）如果这次预淀积进行了总共t分钟，若预淀积温度不变，引入3Qcm-2 - 问答题
热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关？淀积速率的测量采用什么办法？
答案：简述其工作原理。淀积速率与蒸发材料温度腔体形状等因素有关。淀积速率通常用石英晶体速率指示仪测量。所用器件为一个谐振板，它... - 问答题
射频放电与直流放电相比有何优点？
答案：直流放电中，电荷在表面的积聚会使电场减小，直到等离子体消失。在射频电场中，因为电场周期性地改变方向，带电粒子不容易到达电... - 问答题
采用CF4作为气体源对SiO2进行刻蚀，在进气中分别加入O2或H2对刻蚀速率有什么影响？随着O2或H2进气量的增加，对Si和SiO2刻蚀选择性怎样变化？为什么？
答案：加入少量的氧气能够提高Si和SiO2的刻蚀速率。加入少量的氢气可以导致Si和SiO2 - 问答题
应力分为压应力和张应力，下图的形状是由于哪种应力产生的？请在图上标出应力的方向。如果要让上面的结构材料变得平整，要怎么做？
答案：张应力（张的时候产生的应力）与压应力（压的时候产生的应力）
在张应力作用下，薄膜会相对衬底进行...