大学试题
集成电路工艺原理判断题每日一练(2018.11.15)
来源:考试资料网
判断题
扩散运动是各向同性的。
参考答案:
错
点击查看答案
进入题库练习
判断题
外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层,分为同质外延和异质外延两大类。
参考答案:
对
点击查看答案
进入题库练习
判断题
热扩散中的横向扩散通常是纵向结深的75%~85%。先进的MOS电路不希望发生横向扩散,因为它会导致沟道长度的减小,影响器件的集成度和性能。
参考答案:
对
点击查看答案
进入题库练习
判断题
LPCVD反应是受气体质量传输速度限制的。
参考答案:
对
点击查看答案
进入题库练习
判断题
CZ直拉法是按照在20世纪90年代初期它的发明者的名字来命名的。
参考答案:
对
点击查看答案
进入题库练习
赞题库
赞题库-搜题找答案
(已有500万+用户使用)
历年真题
章节练习
每日一练
高频考题
错题收藏
在线模考
提分密卷
模拟试题
无需下载 立即使用
手机版
电脑版
版权所有©考试资料网(ppkao.com)All Rights Reserved