半导体物理问答题每日一练(2018.11.07)

来源:考试资料网

问答题

参考答案:(1)雪崩击穿:半导体中,pn结反向电压增大时,势垒区中的电场很强,在势垒区内的电子和空穴由于受到强电场的漂移作用,具有...

问答题

参考答案:

决定因素:掺杂浓度,掺杂能级,导带的电子有效态密度等。
费米能级比较:强n>弱n>本征>弱p>强p

问答题

参考答案:

本征吸收:半导体吸收光子能量大于带隙的光子,使电子直接跃迁到导带。
又本征吸收产生的非平衡载流子的增加使半导体电导率增加。

问答题

参考答案:

电子浓度等于空穴浓度。
意义:平衡状态下半导体体内是电中性的。

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