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集成电路工艺原理判断题每日一练(2017.12.26)
判断题
当硅片暴露在空气中时，会立刻生成一层无定形的氧化硅薄膜。
答案：
正确
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判断题
CVD是利用某种物理过程，例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底（硅）表面上，并淀积成薄膜。
答案：
错误
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判断题
侧墙用来环绕多晶硅栅，防止更大剂量的源漏注入过于接近沟道以致可能发生源漏穿通。
答案：
正确
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判断题
暴露在高温的氧气氛围中，硅片上能生长出氧化硅。生长一词表示这个过程实际是消耗了硅片上的硅材料。
答案：
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判断题
溅射是个化学过程，而非物理过程。
答案：
错误
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