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集成电路制造工艺员单项选择题每日一练(2017.11.27)

  • 单项选择题

    由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的,所以其()就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。

    A.刻蚀速率
    B.选择性
    C.各向同性
    D.各向异性

  • 单项选择题

    危害半导体工艺的典型金属杂质是()。

    A.2族金属
    B.碱金属
    C.合金金属
    D.稀有金属

  • 单项选择题

    有机性气体大多产生在下列哪道工艺()。

    A.离子注入
    B.刻蚀
    C.扩散
    D.光刻

  • 单项选择题

    在深紫外曝光中,需要使用()光刻胶。

    A.DQN
    B.CA
    C.ARC
    D.PMMA

  • 单项选择题

    在热扩散工艺中的预淀积步骤中,硼在950~1100℃的条件下,扩散时间大约()为宜。

    A.4~6h
    B.50min~2h
    C.10~40min
    D.5~10min

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