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题目列表

半导体材料单项选择题每日一练(2017.11.29)

  • 单项选择题

    其中不属于多晶硅的生产方法的是().

    A.SiCl4法
    B.硅烷法
    C.直拉法
    D.西门子改良法

  • 单项选择题

    下列不属于工业吸附要求的是()。

    A.具有较大的内表面,吸附容量大
    B.具有一定的机械强度,耐热冲击,耐腐蚀
    C.不易得,昂贵
    D.容易再生

  • 单项选择题

    当晶体生长的较快,内坩埚中杂质量变少,晶体的电阻率().

    A.上升
    B.下降
    C.不变
    D.不确定

  • 单项选择题

    下列铸造多晶硅的制备方法中,()没有坩埚的消耗,降低了成本,同时又可减少杂质污染长度。

    A.布里曼法
    B.热交换法
    C.电磁铸锭法
    D.浇铸法

  • 单项选择题

    在晶体凝固过程中,存在温度梯度的是().

    A.上部和边缘部分
    B.中部和边缘部分
    C.上部和底部
    D.底部和边缘部分

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