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题目列表

材料物理性能单项选择题每日一练(2017.02.06)

  • 单项选择题

    下列与硼氧复合体缺陷无关的是()。

    A、氧
    B、硼
    C、温度
    D、湿度

  • 单项选择题

    下列属于单晶硅片的一般形状().

    A.方形
    B.三角形
    C.椭圆形
    D.梯形

  • 单项选择题

    电容量的单位符号是()。

    A、C
    B、F
    C、S
    D、T

  • 单项选择题

    如果半导体中存在多种杂质,在通常情况下,可以认为基本上属于杂质饱和电离范围,其电阻率与杂质浓度的关系可近似表示为().

    A.1/(NA-ND.eup
    B.1/(NA-ND.eC.up/(NA-ND.e
    D.1/(NA+ND.eup

  • 单项选择题

    当晶体生长的较快,内坩埚中杂质量变少,晶体的电阻率().

    A.上升
    B.下降
    C.不变
    D.不确定

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