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问答题

原子或离子的（5）是指在晶体结构中，该原子或离子的周围与它直接相邻结合的原子个数或所有异号离子的个数。

答案：

配位数 
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问答题


可以按旋转轴和旋转反伸轴的轴次和数目将晶体分成立方晶系、三方晶系、四方晶系、 (1) 、 (2) 、 (3) 和 (4) 共七个晶系。 （1）
答案：

六方晶系
问答题

小角度晶界由位错构成，其中对称倾转晶界由 (11) 位错构成，扭转晶界由 (12) 位错构成。 （11）
答案：

刃型
问答题

线性高分子可反复使用，称为 (19) 塑料；交联高分子不能反复使用，称为 (20) 塑料。 （19）
答案：

热塑性
问答题

再结晶完成后，晶粒长大可分为 (17) 晶粒长大和 (18) 晶粒长大。 （17）
答案：

正常
问答题

强化金属材料的方法有 (13) 强化、 (14) 强化、 (15) 强化、 (16) 强化。 （13）
答案：

固溶
问答题

小角度晶界由位错构成，其中对称倾转晶界由 (11) 位错构成，扭转晶界由 (12) 位错构成。 （12）
答案：

螺型
问答题

线性高分子可反复使用，称为 (19) 塑料；交联高分子不能反复使用，称为 (20) 塑料。 （20）
答案：

热固性
问答题


可以按旋转轴和旋转反伸轴的轴次和数目将晶体分成立方晶系、三方晶系、四方晶系、 (1) 、 (2) 、 (3) 和 (4) 共七个晶系。 （2）
答案：

正交晶系
问答题

强化金属材料的方法有 (13) 强化、 (14) 强化、 (15) 强化、 (16) 强化。 （14）
答案：

位错
问答题

再结晶完成后，晶粒长大可分为 (17) 晶粒长大和 (18) 晶粒长大。 （18）
答案：

异常
问答题


可以按旋转轴和旋转反伸轴的轴次和数目将晶体分成立方晶系、三方晶系、四方晶系、 (1) 、 (2) 、 (3) 和 (4) 共七个晶系。 （3）
答案：

单斜晶系
问答题

强化金属材料的方法有 (13) 强化、 (14) 强化、 (15) 强化、 (16) 强化。 （15）
答案：

细晶
问答题

强化金属材料的方法有 (13) 强化、 (14) 强化、 (15) 强化、 (16) 强化。 （16）
答案：

弥散(或沉淀相颗粒)
问答题


可以按旋转轴和旋转反伸轴的轴次和数目将晶体分成立方晶系、三方晶系、四方晶系、 (1) 、 (2) 、 (3) 和 (4) 共七个晶系。 （4）
答案：

三斜晶系
问答题

原子或离子的（5）是指在晶体结构中，该原子或离子的周围与它直接相邻结合的原子个数或所有异号离子的个数。
答案：

配位数 
问答题

固溶体中，当溶质原子和溶剂原子分别占据固定位置，且每个晶胞中溶质原子和溶剂原子数之比一定时，这种有序结构被称为（6）。
答案：

超点阵
问答题

一个滑移面和其面上的一个（7）组成一个滑移系。
答案：

滑移方向
问答题

结晶过程中晶体界面向液相推移的方式被称为（8），与液固界面的微观结构有关。
答案：

晶体长大机制
问答题

相平衡时，系统内的相数可以通过系统自由度、（9）和对系统平衡状态能够产生影响的外界因素数目的关系式来进行计算。
答案：

组元数
问答题

铸锭三晶区是指紧靠膜内壁的细晶区、（10）、铸锭中心的等轴粗晶区。
答案：

垂直膜壁生长的柱状晶区
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