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问答题
已知一个理想的硅pn结二极管在300 K时有以下参数：NA=5×1016 cm-3，ND=1016cm-3，ni=9.65×109 cm-3，Dn=21 cm2/s，Dp=10 cm2/s，τp0=τn0=5×10-7 s，结的横截面积为2×10-4 cm-2。求该二极管的理想反向饱和电流。
答案：
答案：理想反向饱和电流 \(I_s\) 可以通过以下公式计算：\[ I_s = A \cdot q \cdot \lef...
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已知一个理想的硅pn结二极管在300 K时有以下参数：NA=5×1016 cm-3，ND=1016cm-3，ni=9.65×109 cm-3，Dn=21 cm2/s，Dp=10 cm2/s，τp0=τn0=5×10-7 s，结的横截面积为2×10-4 cm-2。求该二极管的理想反向饱和电流。
答案：
答案：首先，我们需要计算出电子和空穴的扩散系数Dn和Dp。由于题目中已经给出，所以直接使用Dn=21 cm²/s和Dp=...
问答题
已知一个理想的硅pn结二极管在300 K时有以下参数：NA=5×1016 cm-3，ND=1016cm-3，ni=9.65×109 cm-3，Dn=21 cm2/s，Dp=10 cm2/s，τp0=τn0=5×10-7 s，结的横截面积为2×10-4 cm-2。求该二极管的理想反向饱和电流。
答案：
答案：首先，我们需要计算出扩散电流的公式，对于硅pn结二极管，反向饱和电流可以表示为：\[ I_{s} = A \cdo...
